(夏季休業のお知らせ)

8月10日15時 から 20日まで発送・問合せ等のすべての業務をお休みいたします。
 

 

電子工作の知恵袋

 
 

 

PixiModule UART
USB-UART変換ケーブル
実動デモ


 

 *コンテンツはお客様ご自身のご判断と責任においてご利用ください。
 また、掲載内容を他に流用・転載することは一部・全てを問わず固くお断りいたします。
 引用する場合はリンク表示にてお願いいたします。
 


電子工作の知恵袋

 

 電子部品の基本 その10

FETの特性




FETの使い方もトランジスタの場合と基本は同じです。
FETの電極の名前が違うので、トランジスタのエミッタ接地回路に相当するのはソース接地回路と呼ばれます。
ここでもわかりやすいN型をベースに説明します。

 



N型                P型

 

 

1)ドレイン電流の制御


FETの場合はゲート電圧 V によってドレイン電流 I が制御されます。

ドレイン電流とゲート電圧(正確には、ゲート・ソース間電圧ですが、ここでは単にゲート電圧と呼びます)の関係は、トランジスタの直流電流増幅率のような直線的関係にはなく、下図 のようになります。

 

 

 

ドレイン電流の値は個々のFETによって異なってきます。

 

2)FETの動作領域


FETにもトランジスタと同じように3つの動作領域があります。

「カットオフ領域」はゲート電圧がゼロでドレイン電流が流れていない領域、「能動領域」はゲート電圧を変化させるとドレイン電流も変化する領域、「飽和領域」はゲート電圧を変化させてもドレイン電流が変化しない領域です。
飽和領域ではドレイン・ソース間電圧はほぼ0Vになっています。

 

3)ドレイン消費電力


ドレインとソース間に電圧が加わっていて電流が流れているとトランジスタと同様に電力を消費します。

許容ドレイン損失もトランジスタと同じになります。

 

 

 

電子工作の知恵袋 最新情報

  電子工作大好き社員募集中! 株式会社ヌマタR&D