電子工作の知恵袋

 
 

 

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電子工作の知恵袋

 

 電子部品の基本 その11

トランジスターとFETの定格





トランジスタの主な定格

 

1)絶対最大定格


トランジスタに印加できる最大電圧や、流せる最大電流、消費できる最大電力などが規定されています。

絶対最大定格は、どんな場合でも一瞬でも超えてはいけないとされています。
このため、使用上の目安は規定値の70%位までに抑えます。

 

2)直流電流増幅率 hFE


ベース電流の何倍でコレクタ電流が流れるかを意味しています。

この特性値は同じ型番のトランジスタであっても個体差が大きく、小さいものと大きいものとでは3倍位の開きがあります。
従って、hFE の値が多少変わっても回路の動作が変わらないように工夫をする必要があります。

 

3)ベース・エミッタ間電圧 VBE


ベース・エミッタ間は構造上ダイオード特性を示します。

BE が 0.6V付近より小さくなるとベース電流は急激に減少し、逆に 0.6V付近より大きくなるとベース電流は急激に増加します。
従って、トランジスタが動作している時は、VBE は 0.6Vでほぼ一定と見なすことができます。

 

4)コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat)


トランジスタを飽和領域にした場合のコレクタ・エミッタ間電圧です。
通常最大値で規定されますが、通常値は最大値の半分以下程度です。

 

 

FETの主な定格

 

1)絶対最大定格


FETに印加できる最大電圧や、流せる最大電流、消費できる最大電力などが規定されています。

トランジスタと同様に、絶対最大定格はどんな場合でも一瞬でも超えてはいけないとされています。
このため、使用上の目安は規定値の70%位までに抑えます。

 

2)ゲート閾値電圧 VTH


ピンチオフ電圧と呼ばれたこともあります。

ドレイン電流が流れなくなくなるゲート電圧です。
電流がゼロでは測定できないので、データシートではドレイン電流を1mAで規定しています。

 

3)ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON)


FETが飽和領域にある場合は、ドレイン・ソース間電圧はドレイン電流にほぼ比例することから、抵抗特性と見なすことが出来ます。
これをドレイン・ソース間オン抵抗と言います。
オン抵抗はゲート電圧が高い方が低くなります。

 

4)寄生ダイオード


MOS型FETはその構造上、ドレイン・ソース間に寄生ダイオードが出来ます。

N型FETの場合は、寄生ダイオードの電流の向きは ソース → ドレインで、P型FETの場合は逆の電流の向きになります。
流せる電流の容量はドレイン電流の容量と同じです。

 

5)順方向伝達アドミッタンス Yfs


FETが能動領域で動作している場合で、ゲート電圧の変化に対してドレイン電流がどれだけ変化するかを示しているものです。
単位は「S」で、ジーメンスと読みます。

電圧と電流の直流的な関係ではなく変化率です。
増幅回路として使う場合は重要なパラメータですが、スイッチング回路の場合は使用しません。




 

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